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onsemi FDFS6N548
| Artikelnummer: | FDFS6N548 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 7A 8SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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onsemi FDFS6N548 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDFS6N548.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC Serie PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7A, 10V Verlustleistung (max) 1.6W (Ta) Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Ta) Grundproduktnummer FDFS6 FDFS6N548 Einzelheiten PDF [English] FDFS6N548 PDF - EN.pdf -
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